casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXUC100N055
codice articolo del costruttore | IXUC100N055 |
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Numero di parte futuro | FT-IXUC100N055 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXUC100N055 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS220™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS220™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXUC100N055 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXUC100N055-FT |
IXFV12N80P
IXYS
IXFV12N80PS
IXYS
IXFV12N90PS
IXYS
IXFV14N80P
IXYS
IXFV14N80PS
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IXFV15N100P
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XC4005XL-2PQ100I
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