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IXYS IXTU01N100

Numero parte MFG
IXTU01N100
quantità disponibile
26580 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.48
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXTU01N100 specificazioni

codice articolo del costruttore IXTU01N100
Numero di parte futuro FT-IXTU01N100
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IXTU01N100 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 54pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTU01N100 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXTU01N100-FT

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