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IXYS IXFQ10N80P

Name: IXFQ10N80P
Brand: IXYS
SKU: IXFQ10N80P
Price: 2.232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (432 reviews)

Numero parte MFG: IXFQ10N80P

quantità disponibile: 69500 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.232

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™, PolarHT™ MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFQ10N80P.pdf

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IXFQ10N80P specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFQ10N80P
Numero di parte futuro	FT-IXFQ10N80P
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, PolarHT™
IXFQ10N80P Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2050pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFQ10N80P Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFQ10N80P-FT

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