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IXYS IXTQ200N10T

Name: IXTQ200N10T
Brand: IXYS
SKU: IXTQ200N10T
Price: 4.504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (128 reviews)

Numero parte MFG: IXTQ200N10T

quantità disponibile: 27460 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 4.504

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: TrenchMV™ MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTQ200N10T.pdf

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IXTQ200N10T specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTQ200N10T
Numero di parte futuro	FT-IXTQ200N10T
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMV™
IXTQ200N10T Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9400pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	550W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTQ200N10T Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTQ200N10T-FT

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