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IXYS IXTT10N100D2

Name: IXTT10N100D2
Brand: IXYS
SKU: IXTT10N100D2
Price: 8.4064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (704 reviews)

Numero parte MFG: IXTT10N100D2

quantità disponibile: 97030 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 8.4064

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTT10N100D2.pdf

IXTT10N100D2 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTT10N100D2
Numero di parte futuro	FT-IXTT10N100D2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTT10N100D2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5320pF @ 25V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	695W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-268
Pacchetto / caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTT10N100D2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTT10N100D2-FT

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