casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTT02N450HV
codice articolo del costruttore | IXTT02N450HV |
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Numero di parte futuro | FT-IXTT02N450HV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTT02N450HV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 4500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 Ohm @ 10mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 256pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 113W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT02N450HV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTT02N450HV-FT |
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IXFK32N50Q
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