casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXKP35N60C5
codice articolo del costruttore | IXKP35N60C5 |
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Numero di parte futuro | FT-IXKP35N60C5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IXKP35N60C5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXKP35N60C5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXKP35N60C5-FT |
IXFP130N10T2
IXYS
IXFP130N15X3
IXYS
IXFP180N10T2
IXYS
IXFP18N60X
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IXFP230N075T2
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IXFP24N60X
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IXFP26N50P3
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IXFP30N60X
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IXFP36N30P3
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IXFP4N100P
IXYS