casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFP7N80PM
codice articolo del costruttore | IXFP7N80PM |
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Numero di parte futuro | FT-IXFP7N80PM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFP7N80PM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP7N80PM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFP7N80PM-FT |
IXFP10N60P
IXYS
IXFP10N80P
IXYS
IXFP110N15T2
IXYS
IXFP12N50P
IXYS
IXFP12N65X2
IXYS
IXFP130N10T2
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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5SGSED6K2F40I3L
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EP20K100FI324-2XV
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