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IXYS IXTM12N100

Numero parte MFG
IXTM12N100
quantità disponibile
49220 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
GigaMOS™ POWER MOSFET TO-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXTM12N100 specificazioni

codice articolo del costruttore IXTM12N100
Numero di parte futuro FT-IXTM12N100
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie GigaMOS™
IXTM12N100 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Last Time Buy
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-204AA
Pacchetto / caso TO-204AA, TO-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTM12N100 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXTM12N100-FT

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