casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFJ52N30Q
codice articolo del costruttore | IXFJ52N30Q |
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Numero di parte futuro | FT-IXFJ52N30Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IXFJ52N30Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFJ52N30Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFJ52N30Q-FT |
IRFC4104EB
Infineon Technologies
IRFC4115EB
Infineon Technologies
IRFC4115ED
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IRFC4127ED
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IRFC4227ED
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IRFC4310EF
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IRFC4368D
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XC3164A-3TQ144C
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XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
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5AGXFB1H4F35C4N
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