casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFJ80N10Q
codice articolo del costruttore | IXFJ80N10Q |
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Numero di parte futuro | FT-IXFJ80N10Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IXFJ80N10Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFJ80N10Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFJ80N10Q-FT |
IRFC4115EB
Infineon Technologies
IRFC4115ED
Infineon Technologies
IRFC4127ED
Infineon Technologies
IRFC4227EB
Infineon Technologies
IRFC4227ED
Infineon Technologies
IRFC430
Vishay Siliconix
IRFC4310EF
Infineon Technologies
IRFC4332ED
Infineon Technologies
IRFC4368D
Infineon Technologies
IRFC4410ZEB
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel