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IXYS IXTH21N50Q

Numero parte MFG
IXTH21N50Q
quantità disponibile
64970 pezzi
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™ MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
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IXTH21N50Q specificazioni

codice articolo del costruttore IXTH21N50Q
Numero di parte futuro FT-IXTH21N50Q
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXTH21N50Q Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXTH)
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH21N50Q Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXTH21N50Q-FT

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