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IXYS IXFH67N10Q

Name: IXFH67N10Q
Brand: IXYS
SKU: IXFH67N10Q
Availability: InStock
Rating: 5.0 (103 reviews)

Numero parte MFG: IXFH67N10Q

quantità disponibile: 49130 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFH67N10Q.pdf

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IXFH67N10Q specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFH67N10Q
Numero di parte futuro	FT-IXFH67N10Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFH67N10Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	67A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH67N10Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFH67N10Q-FT

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