casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTF1N450
codice articolo del costruttore | IXTF1N450 |
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Numero di parte futuro | FT-IXTF1N450 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTF1N450 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 4500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 900mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 Ohm @ 50mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 160W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
Pacchetto / caso | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTF1N450 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTF1N450-FT |
IXFN50N50
IXYS
IXFN52N90P
IXYS
IXFN64N50PD2
IXYS
IXFN64N50PD3
IXYS
IXFN66N50Q2
IXYS
IXFN72N55Q2
IXYS
IXFN73N30Q
IXYS
IXFN80N48
IXYS
IXFN80N50Q2
IXYS
IXTE250N10
IXYS
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel