casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN66N50Q2
codice articolo del costruttore | IXFN66N50Q2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFN66N50Q2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFN66N50Q2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 199nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 735W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN66N50Q2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN66N50Q2-FT |
IXFN26N100P
IXYS
IXFN26N120P
IXYS
IXFN300N10P
IXYS
IXFN30N120P
IXYS
IXFN32N100P
IXYS
IXFN32N120P
IXYS
IXFN32N80P
IXYS
IXFN400N15X3
IXYS
IXFN40N110P
IXYS
IXFN40N110Q3
IXYS
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation