casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN64N50PD3
codice articolo del costruttore | IXFN64N50PD3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFN64N50PD3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHV™ |
IXFN64N50PD3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 625W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN64N50PD3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN64N50PD3-FT |
IXFN240N15T2
IXYS
IXFN26N100P
IXYS
IXFN26N120P
IXYS
IXFN300N10P
IXYS
IXFN30N120P
IXYS
IXFN32N100P
IXYS
IXFN32N120P
IXYS
IXFN32N80P
IXYS
IXFN400N15X3
IXYS
IXFN40N110P
IXYS
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel