casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTC180N10T
codice articolo del costruttore | IXTC180N10T |
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Numero di parte futuro | FT-IXTC180N10T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTC180N10T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS220™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS220™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTC180N10T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTC180N10T-FT |
IXFE180N20
IXYS
IXFE23N100
IXYS
IXFE24N100
IXYS
IXFE34N100
IXYS
IXFE36N100
IXYS
IXFE39N90
IXYS
IXFE44N50Q
IXYS
IXFE44N50QD2
IXYS
IXFE44N50QD3
IXYS
IXFE44N60
IXYS
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel