casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFE23N100
codice articolo del costruttore | IXFE23N100 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFE23N100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFE23N100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFE23N100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFE23N100-FT |
IXFN160N30T
IXYS
IXFN26N90
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