casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFE34N100
codice articolo del costruttore | IXFE34N100 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFE34N100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFE34N100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 455nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 580W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFE34N100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFE34N100-FT |
IXTN660N04T4
IXYS
IXFN200N07
IXYS
IXTN90N25L2
IXYS
IXFN36N60
IXYS
IXFN56N90P
IXYS
IXFN120N20
IXYS
IXTN40P50P
IXYS
IXFN66N85X
IXYS
IXFN24N100F
IXYS-RF
IXFN38N100P
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel