casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTA10P50PTRL
codice articolo del costruttore | IXTA10P50PTRL |
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Numero di parte futuro | FT-IXTA10P50PTRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarP™ |
IXTA10P50PTRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXTA) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA10P50PTRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTA10P50PTRL-FT |
2N6800
Microsemi Corporation
2N6802
Microsemi Corporation
2N6849
Microsemi Corporation
2N6901
Microsemi Corporation
DN2470K4-G
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DN3765K4-G
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LND01K1-G
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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5SGXMA7H3F35I3
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
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EP1C4F400C8
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