casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / LSIC1MO120E0080
codice articolo del costruttore | LSIC1MO120E0080 |
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Numero di parte futuro | FT-LSIC1MO120E0080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LSIC1MO120E0080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 20V |
Vgs (massimo) | +22V, -6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1825pF @ 800V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 179W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSIC1MO120E0080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LSIC1MO120E0080-FT |
2N6796
Microsemi Corporation
2N6798
Microsemi Corporation
2N6800
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2N6802
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