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IXYS IXFP4N100P

Numero parte MFG
IXFP4N100P
quantità disponibile
98180 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.8
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFP4N100P specificazioni

codice articolo del costruttore IXFP4N100P
Numero di parte futuro FT-IXFP4N100P
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™, PolarP2™
IXFP4N100P Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1456pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFP4N100P Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFP4N100P-FT

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