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IXYS IXFP18N60X

Numero parte MFG
IXFP18N60X
quantità disponibile
77020 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 4.1
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™ MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFP18N60X specificazioni

codice articolo del costruttore IXFP18N60X
Numero di parte futuro FT-IXFP18N60X
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFP18N60X Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 320W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFP18N60X Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFP18N60X-FT

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