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codice articolo del costruttore | IXGE200N60B |
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Numero di parte futuro | FT-IXGE200N60B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFAST™ |
IXGE200N60B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Potenza - Max | 416W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 120A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOPLUS227™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS227™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGE200N60B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXGE200N60B-FT |
FZ800R33KL2CB5NOSA1
Infineon Technologies
FZ800R33KL2CNOSA1
Infineon Technologies
FZ800R45KL3B5NOSA2
Infineon Technologies
FZ900R12KF5NOSA1
Infineon Technologies
FZ900R12KP4HOSA1
Infineon Technologies
GB35XF120K
Vishay Semiconductor Diodes Division
HGT1N30N60A4D
ON Semiconductor
HGT1N40N60A4D
ON Semiconductor
HIGFEB1BOSA1
Infineon Technologies
HIGFED1BOSA1
Infineon Technologies
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel