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Infineon Technologies HIGFED1BOSA1
- Numero parte MFG
- HIGFED1BOSA1
- quantità disponibile
- 58520 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- - MODULE IGBT HYBRID PK
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Moduli
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- HIGFED1BOSA1.pdf
HIGFED1BOSA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | HIGFED1BOSA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-HIGFED1BOSA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| HIGFED1BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
| Potenza - Max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Corrente - Limite del collettore (max) | - |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Ingresso | - |
| Termistore NTC | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HIGFED1BOSA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | HIGFED1BOSA1-FT |
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