casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / HIGFED1BOSA1
codice articolo del costruttore | HIGFED1BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-HIGFED1BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HIGFED1BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | - |
Termistore NTC | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HIGFED1BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HIGFED1BOSA1-FT |
FS50R06YL4BOMA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FS50R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
FS50R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FS50R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FS600R07A2E3B31BOSA1
Infineon Technologies
FS600R07A2E3B32BOSA1
Infineon Technologies
FS6R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
Intel
EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EPF10K30AQC240-2N
Intel