casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / HGT1N40N60A4D
codice articolo del costruttore | HGT1N40N60A4D |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HGT1N40N60A4D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HGT1N40N60A4D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 110A |
Potenza - Max | 298W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGT1N40N60A4D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HGT1N40N60A4D-FT |
FS50R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06YL4BOMA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FS50R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
FS50R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FS50R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FS600R07A2E3B31BOSA1
Infineon Technologies
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
XA3S1400A-4FGG484Q
Xilinx Inc.
EP4CE10F17I8L
Intel
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SEE9H40I3LN
Intel
EP3SL340H1152C4LN
Intel
XC4VLX100-11FF1148C
Xilinx Inc.
LFXP20C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation