casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFX90N30
codice articolo del costruttore | IXFX90N30 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFX90N30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFX90N30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 560W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX90N30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFX90N30-FT |
IXFA26N30X3
IXYS
IXTA44N30T
IXYS
IXFA3N120TRL
IXYS
IXFA90N20X3
IXYS
IXFT150N25X3HV
IXYS
IXTA102N15T
IXYS
IXTA130N10T-TRL
IXYS
IXTA160N10T
IXYS
IXTA1N100
IXYS
IXTA3N110
IXYS
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel