casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFA26N30X3
codice articolo del costruttore | IXFA26N30X3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFA26N30X3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFA26N30X3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.465nF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AA |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFA26N30X3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFA26N30X3-FT |
IXTA64N10L2
IXYS
IXTA3N120
IXYS
IXFA7N60P3
IXYS
IXFA10N60P
IXYS
IXFA8N85XHV
IXYS
IXTA460P2
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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