casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTA160N10T
codice articolo del costruttore | IXTA160N10T |
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Numero di parte futuro | FT-IXTA160N10T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMV™ |
IXTA160N10T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 430W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXTA) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA160N10T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTA160N10T-FT |
IXTA6N100D2
IXYS
IXFA14N60P3
IXYS
IXTA110N055T2
IXYS
IXTA20N65X
IXYS
IXFA36N20X3
IXYS
IXTA24P085T
IXYS
IXTA8N65X2
IXYS
IXFA14N85XHV
IXYS
IXFT30N85XHV
IXYS
IXFA36N30P3
IXYS
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
Intel