casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFX360N15T2
codice articolo del costruttore | IXFX360N15T2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFX360N15T2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™ |
IXFX360N15T2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 360A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 715nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 47500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1670W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX360N15T2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFX360N15T2-FT |
IXTA1R4N120P
IXYS
IXTA1R6N100D2
IXYS
IXTA1R6N50D2
IXYS
IXTA230N04T4
IXYS
IXTA230N075T2
IXYS
IXTA24N65X2
IXYS
IXTA260N055T2
IXYS
IXTA26P10T
IXYS
IXTA28P065T
IXYS
IXTA2R4N120P
IXYS
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
Intel