casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTA28P065T
codice articolo del costruttore | IXTA28P065T |
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Numero di parte futuro | FT-IXTA28P065T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchP™ |
IXTA28P065T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 65V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2030pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXTA) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA28P065T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTA28P065T-FT |
IXTA44P15TTRL
IXYS
IXTA200N055T2
IXYS
IXTA76P10T
IXYS
IXTA26P20P
IXYS
IXTA06N120P
IXYS
IXTA08N100D2
IXYS
IXTA80N10T
IXYS
IXFA4N100Q-TRL
IXYS
IXTA96P085TTRL
IXYS
IXTA36N30P
IXYS
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel