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IXYS IXFX26N60Q

Name: IXFX26N60Q
Brand: IXYS
SKU: IXFX26N60Q
Availability: InStock
Rating: 4.9 (79 reviews)

Numero parte MFG: IXFX26N60Q

quantità disponibile: 31390 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™ MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFX26N60Q.pdf

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IXFX26N60Q specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFX26N60Q
Numero di parte futuro	FT-IXFX26N60Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFX26N60Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5100pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PLUS247™-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFX26N60Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFX26N60Q-FT

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