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IXYS IXFX120N65X2

Name: IXFX120N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXFX120N65X2
Price: 14.504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (537 reviews)

Numero parte MFG: IXFX120N65X2

quantità disponibile: 35600 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 14.504

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™ MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFX120N65X2.pdf

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IXFX120N65X2 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFX120N65X2
Numero di parte futuro	FT-IXFX120N65X2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFX120N65X2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	225nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	15500pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1250W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PLUS247™-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFX120N65X2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFX120N65X2-FT

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