casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFX21N100F
codice articolo del costruttore | IXFX21N100F |
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Numero di parte futuro | FT-IXFX21N100F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerRF™ |
IXFX21N100F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX21N100F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFX21N100F-FT |
IXTA50N25T
IXYS
IXTA60N20T
IXYS
IXTA62N15P
IXYS
IXTA70N075T2
IXYS
IXTA75N10P
IXYS
IXTA76N25T
IXYS
IXTA80N12T2
IXYS
IXTA86N20T
IXYS
IXTA90N055T2
IXYS
IXTA90N075T2
IXYS
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel