casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTA75N10P
codice articolo del costruttore | IXTA75N10P |
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Numero di parte futuro | FT-IXTA75N10P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHT™ |
IXTA75N10P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXTA) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA75N10P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTA75N10P-FT |
IXTA08N50D2
IXYS
IXTA3N100D2
IXYS
IXFA72N30X3
IXYS
IXFT120N25X3HV
IXYS
IXTA80N075L2
IXYS
IXTA4N150HV
IXYS
IXTA64N10L2
IXYS
IXTA3N120
IXYS
IXFA7N60P3
IXYS
IXFA10N60P
IXYS
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel