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IXYS IXTA80N12T2

Name: IXTA80N12T2
Brand: IXYS
SKU: IXTA80N12T2
Price: 1.8 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (435 reviews)

Numero parte MFG: IXTA80N12T2

quantità disponibile: 15810 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.8

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: TrenchT2™ MOSFET N-CH 120V 80A TO-263

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTA80N12T2.pdf

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IXTA80N12T2 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTA80N12T2
Numero di parte futuro	FT-IXTA80N12T2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchT2™
IXTA80N12T2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4740pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	325W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (IXTA)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA80N12T2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTA80N12T2-FT

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