casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFT70N30Q3
codice articolo del costruttore | IXFT70N30Q3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFT70N30Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFT70N30Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4735pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 830W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT70N30Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFT70N30Q3-FT |
IXFB120N50P2
IXYS
IXFK220N20X3
IXYS
IXFB38N100Q2
IXYS
IXFB40N110P
IXYS
IXFB50N80Q2
IXYS
IXFK21N100Q
IXYS
IXFK320N17T2
IXYS
IXFK73N30
IXYS
IXFK400N15X3
IXYS
IXFB72N55Q2
IXYS
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel