casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK320N17T2
codice articolo del costruttore | IXFK320N17T2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK320N17T2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™ |
IXFK320N17T2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 170V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 320A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 640nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 45000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1670W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK320N17T2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK320N17T2-FT |
IXFB132N50P3
IXYS
IXTB62N50L
IXYS
IXTK110N20L2
IXYS
IXFK24N100Q3
IXYS
IXFK26N120P
IXYS
IXFK24N100F
IXYS-RF
IXFK360N15T2
IXYS
IXFK21N100F
IXYS-RF
IXFB100N50P
IXYS
IXFB80N50Q2
IXYS
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel