casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFB40N110P
codice articolo del costruttore | IXFB40N110P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFB40N110P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFB40N110P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 310nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 19000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS264™ |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFB40N110P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFB40N110P-FT |
IXKK85N60C
IXYS
IXFK64N60P
IXYS
IXFK120N65X2
IXYS
IXFB132N50P3
IXYS
IXTB62N50L
IXYS
IXTK110N20L2
IXYS
IXFK24N100Q3
IXYS
IXFK26N120P
IXYS
IXFK24N100F
IXYS-RF
IXFK360N15T2
IXYS
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel