casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFT18N100Q3
codice articolo del costruttore | IXFT18N100Q3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFT18N100Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFT18N100Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4890pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 830W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT18N100Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFT18N100Q3-FT |
IXFK73N30
IXYS
IXFK400N15X3
IXYS
IXFB72N55Q2
IXYS
IXFK100N10
IXYS
IXFK120N25
IXYS
IXFK150N10
IXYS
IXFK150N15
IXYS
IXFK150N15P
IXYS
IXFK15N100Q
IXYS
IXFK16N90Q
IXYS
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel