casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFT320N10T2
codice articolo del costruttore | IXFT320N10T2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFT320N10T2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
IXFT320N10T2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 320A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 26000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1000W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT320N10T2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFT320N10T2-FT |
IXFK16N90Q
IXYS
IXFK170N10
IXYS
IXFK180N07
IXYS
IXFK180N085
IXYS
IXFK20N120
IXYS
IXFK20N80Q
IXYS
IXFK210N17T
IXYS
IXFK24N90Q
IXYS
IXFK25N90
IXYS
IXFK260N17T
IXYS
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel