casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFT150N20T
codice articolo del costruttore | IXFT150N20T |
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Numero di parte futuro | FT-IXFT150N20T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, TrenchT2™ |
IXFT150N20T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 890W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT150N20T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFT150N20T-FT |
IXFB50N80Q2
IXYS
IXFK21N100Q
IXYS
IXFK320N17T2
IXYS
IXFK73N30
IXYS
IXFK400N15X3
IXYS
IXFB72N55Q2
IXYS
IXFK100N10
IXYS
IXFK120N25
IXYS
IXFK150N10
IXYS
IXFK150N15
IXYS
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel