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IXYS IXFT23N60Q

Name: IXFT23N60Q
Brand: IXYS
SKU: IXFT23N60Q
Price: 8.976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (281 reviews)

Numero parte MFG: IXFT23N60Q

quantità disponibile: 98420 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 8.976

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™ MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFT23N60Q.pdf

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IXFT23N60Q specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFT23N60Q
Numero di parte futuro	FT-IXFT23N60Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFT23N60Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-268
Pacchetto / caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT23N60Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFT23N60Q-FT

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