casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTT60N20L2
codice articolo del costruttore | IXTT60N20L2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXTT60N20L2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Linear L2™ |
IXTT60N20L2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 540W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT60N20L2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTT60N20L2-FT |
IXTK240N075L2
IXYS
IXTK32P60P
IXYS
IXTK550N055T2
IXYS
IXTK600N04T2
IXYS
IXTK82N25P
IXYS
IXTK90P20P
IXYS
IXFK180N15P
IXYS
IXFK48N60Q3
IXYS
IXFK100N25
IXYS
IXFK64N50P
IXYS
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel