casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTT4N150HV
codice articolo del costruttore | IXTT4N150HV |
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Numero di parte futuro | FT-IXTT4N150HV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTT4N150HV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1576pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 280W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT4N150HV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTT4N150HV-FT |
IXTK20N150
IXYS
IXTK240N075L2
IXYS
IXTK32P60P
IXYS
IXTK550N055T2
IXYS
IXTK600N04T2
IXYS
IXTK82N25P
IXYS
IXTK90P20P
IXYS
IXFK180N15P
IXYS
IXFK48N60Q3
IXYS
IXFK100N25
IXYS
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel