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IXYS IXFT12N90Q

Numero parte MFG
IXFT12N90Q
quantità disponibile
81000 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 10.36
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™ MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFT12N90Q specificazioni

codice articolo del costruttore IXFT12N90Q
Numero di parte futuro FT-IXFT12N90Q
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFT12N90Q Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-268
Pacchetto / caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT12N90Q Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFT12N90Q-FT

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