casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTT75N10L2
codice articolo del costruttore | IXTT75N10L2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXTT75N10L2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Linear L2™ |
IXTT75N10L2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT75N10L2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTT75N10L2-FT |
IXTK120P20T
IXYS
IXTK140N20P
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IXTK150N15P
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IXTK170N10P
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IXTK17N120L
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IXTK200N10P
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IXTK20N150
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IXTK240N075L2
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IXTK32P60P
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IXTK550N055T2
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