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IXYS-RF IXFT6N100F
- Numero parte MFG
- IXFT6N100F
- quantità disponibile
- 11640 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 8.024
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- IXYS-RF
- Breve descrizione
- HiPerRF™ MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IXFT6N100F.pdf
IXFT6N100F specificazioni
| codice articolo del costruttore | IXFT6N100F |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IXFT6N100F |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HiPerRF™ |
| IXFT6N100F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 180W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 (IXFT) |
| Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXFT6N100F Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IXFT6N100F-FT |
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