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IXYS-RF IXFT6N100F

Name: IXFT6N100F
Brand: IXYS-RF
SKU: IXFT6N100F
Price: 8.024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (587 reviews)

Numero parte MFG: IXFT6N100F

quantità disponibile: 11640 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 8.024

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS-RF

Breve descrizione: HiPerRF™ MOSFET N-CH 1000V 6A TO268

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFT6N100F.pdf

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IXFT6N100F specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFT6N100F
Numero di parte futuro	FT-IXFT6N100F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerRF™
IXFT6N100F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-268 (IXFT)
Pacchetto / caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT6N100F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFT6N100F-FT

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