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IXYS IXFR200N10P

Numero parte MFG
IXFR200N10P
quantità disponibile
71610 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 8.5544
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFR200N10P specificazioni

codice articolo del costruttore IXFR200N10P
Numero di parte futuro FT-IXFR200N10P
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™, PolarP2™
IXFR200N10P Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 133A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS247™
Pacchetto / caso ISOPLUS247™
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFR200N10P Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFR200N10P-FT

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