casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFX32N100P
codice articolo del costruttore | IXFX32N100P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFX32N100P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFX32N100P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 960W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX32N100P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFX32N100P-FT |
IXTA44N30T
IXYS
IXFA3N120TRL
IXYS
IXFA90N20X3
IXYS
IXFT150N25X3HV
IXYS
IXTA102N15T
IXYS
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IXYS
IXTA160N10T
IXYS
IXTA1N100
IXYS
IXTA3N110
IXYS
IXTA3N120TRL
IXYS
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
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10AX115N3F40I3SGES
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